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2SB649AL-C-T60-K相关型号

  • 2N65G-TN3-R

  • 19N10L-TM3-T

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道

  • 12N10L-TN3-R

  • 18N50L-TF3-T

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：235W 类型：N沟道

  • MMBT5551G-B-AE3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2N3904G-T92-B

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • 2SD1816L-R-TN3-R

    集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SD1616AG-G-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SB649AL-C-T60-K

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：集电极电流Ic：1.5A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

优势价格，2SB649AL-C-T60-K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 商品目录三极管
  • 额定功率1W
  • 集电极电流Ic1.5A
  • 集射极击穿电压Vce160V
  • 晶体管类型PNP

其它信息

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