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UT2302G-AE3-R相关型号
  • 5N65L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道

  • 3N80L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

  • 2N65KL-MT-TF3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道

  • 4N70L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道

  • 12P10L-TM3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道

  • UTM4953G-SO8-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道

  • 5N50L-TF3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • UT2302G-AE3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
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  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A
  • 栅源极阈值电压450mV @ 250uA
  • 漏源导通电阻50mΩ @ 7.2A,4.5V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
  • 类型N沟道

其它信息

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