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UTM4052L-TN4-T相关型号

  • 1N4148G-CA2-R

    正向压降（Vf）：1V @ 10mA 直流反向耐压（Vr）：100V 反向恢复时间（trr）：4ns 平均整流电流（Io）：200mA

  • BAV99G-AE3-R

    正向压降（Vf）：1.25V @ 150mA 直流反向耐压（Vr）：70V 反向恢复时间（trr）：6ns 平均整流电流（Io）：200mA

  • 1N4148G-CB2-R

    正向压降（Vf）：1V @ 10mA 直流反向耐压（Vr）：100V 反向恢复时间（trr）：4ns 平均整流电流（Io）：200mA

  • 1N4148G-AE3-R

  • MBR20100CL-TA3-T

    正向压降（Vf）：850mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：10A

  • MBR2060CL-TA3-T

    正向压降（Vf）：950mV @ 20A 直流反向耐压（Vr）：60V 平均整流电流（Io）：2 x 10A

  • MGBR20L300CG

  • MBR40150CL-TA3-T

    正向压降（Vf）：800mV @ 20A 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：40A

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • UTM4052L-TN4-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc),6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：38mΩ @ 7.5A,10V;50mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W 类型：N沟道和P沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）40V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.5A(Tc),6A(Tc)
  • 栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
  • 漏源导通电阻38mΩ @ 7.5A,10V;50mΩ @ 6A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）25W
  • 类型N沟道和P沟道

其它信息

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