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7N65KL-TN3-R相关型号

  • 2SD1803G-S-TN3-R

  • MMBT9014G-C-AE3-R

    集电极电流Ic：100mA 额定功率：225mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：45V

  • 2SD965AL-R-T92-K

    集电极电流Ic：5A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

  • MMBTA92G-AE3-R

    集电极电流Ic：500mA 额定功率：350mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：300V

  • 2SB1386G-Q-AB3-R

    集电极电流Ic：5A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：20V

  • 2N5551L-B-T92-K

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2SB776L-P-T60-K

    集电极电流Ic：3A 额定功率：10W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • HE8050G-D-AB3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 7N65KL-TN3-R

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻1.6Ω @ 3.5A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）55W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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