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MBR20100CL-TQ2-R相关型号
  • 2N65L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道

  • 5N65KL-MT

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道

  • 5N65L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道

  • 3N80L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

  • 2N65KL-MT-TF3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道

  • 4N70L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MBR20100CL-TQ2-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:正向压降(Vf):850mV @ 10A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2 x 10A
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录肖特基二极管
  • 直流反向耐压(Vr)100V
  • 平均整流电流(Io)2 x 10A
  • 正向压降(Vf)850mV @ 10A

其它信息

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