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4N70L-TF1-T相关型号

  • 2SC2655L-Y-T9N-B

    集电极电流Ic：2A 额定功率：900mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • UTC575V

  • 2N6027G-T92-B

    类型：-

  • MCR100G-8-AD-AB3-R

    栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：600V 类型：单向可控硅

  • MCR100G-8-AD-AE3-R编带

    栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：1.2V 断态电压Vdrm：600V 类型：单向可控硅

  • MCR100G-6-AC-AB3-R

    栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：400V 类型：单向可控硅

  • BT169EG-T92-B

  • BT169EL-B-T92-B

    栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：1.35V 断态电压Vdrm：500V 类型：单向可控硅

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 4N70L-TF1-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）700V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.4A
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻2.8Ω @ 2.2A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）36W
  • 类型N沟道

其它信息

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