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5N50L-TF3-T相关型号

  • 2SB772L-P-T60-K

    集电极电流Ic：3A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V

  • MMBT3906G-AE3-R

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：350mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：40V

  • PZT5551G-B-AA3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：2W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2SC1815L-GR-T92-B

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SB1412L-R-TN3-R

    集电极电流Ic：5A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：20V

  • 2SC4617G-R-AE3-R

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SB1260G-Q-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：80V

  • MMBT3904G-AE3-R

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 5N50L-TF3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）500V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻1.4Ω @ 2.5A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）38W
  • 类型N沟道

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