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2N65L-TF1-T相关型号

  • MGBR20L300CG

  • MBR40150CL-TA3-T

    正向压降（Vf）：800mV @ 20A 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：40A

  • MBR10100CG-TN3-R

    正向压降（Vf）：850mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：5A

  • RB751V40G-CB2-R

    正向压降（Vf）：370mV @ 1mA 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：30mA

  • BAT54CG-AE3-R

    正向压降（Vf）：800mV @ 100mA 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA

  • MBR0530G-CA2-R

    正向压降（Vf）：430mV @ 500mA 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：500mA

  • MBR0540G-CA2-R

    正向压降（Vf）：510mV @ 500mA 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：500mA

  • MBR10100CL-TQ2-R

    正向压降（Vf）：850mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：5A

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2N65L-TF1-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）21W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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