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2N65KL-MT-TF3-T相关型号

  • 2N3904G-T92-B

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • 2SD1816L-R-TN3-R

    集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SD1616AG-G-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

  • 2SC1384L-R-T9N-B

    集电极电流Ic：1A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SC4672G-B-AB3-R

    集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • HE8050G-D-AE3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

  • 2SC2712G-G-AE3-R

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：150mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 8050SG-D-AE3-R

    集电极电流Ic：700mA 额定功率：300mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：20V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2N65KL-MT-TF3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）21W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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