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2N65KL-MT-TF3-T相关型号
  • MMBTA06G-AE3-R

    集电极电流Ic:500mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:80V

  • PZTA92G-AA3-R

    集电极电流Ic:500mA 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:300V

  • 2N5401G-B-T92-B

    集电极电流Ic:600mA 额定功率:625mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:150V

  • TIP127L-TN3-R

    集电极电流Ic:5A 额定功率:38W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:100V

  • 2SB649AL-C-T60-K

    集电极电流Ic:1.5A 额定功率:1W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:160V

  • 2SD1857L-Q-T92-B

    集电极电流Ic:2A 额定功率:625mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:120V

  • MMBT2222AG-AE3-R

    集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V

  • TIP41CL-C-TA3-T

    集电极电流Ic:6A 额定功率:65W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:100V

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 2N65KL-MT-TF3-T

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道
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  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)650V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)21W(Tc)
  • 类型N沟道

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