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BC807G-25-AE3-R相关型号
  • 7N65KL-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tc) 类型:N沟道

  • 3N70L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道

  • UT2302G-AE3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道

  • UT3401G-AE3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BC807G-25-AE3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:集电极电流Ic:800mA 额定功率:310mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录三极管
  • 额定功率310mW
  • 集电极电流Ic800mA
  • 集射极击穿电压Vce45V
  • 晶体管类型PNP

其它信息

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