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UTT6NP10G-S08-R相关型号

  • 2SD880L-TA3-T

    集电极电流Ic：3A 额定功率：1.5W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

  • TIP31CL-TA3-T

    集电极电流Ic：3A 额定功率：40W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • BU406L-TA3-T

    集电极电流Ic：7A 额定功率：60W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：200V

  • MJE13005L-D-TF3-T

    集电极电流Ic：4A 额定功率：40W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

  • 2SA1020G-Y-AB3-R

    集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • MMBT9015G-C-AE3-R

    集电极电流Ic：100mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：45V

  • 2SA1797G-B-AB3-R

    集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SB649AG-C-AB3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • UTT6NP10G-S08-R

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A,3.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）100V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.1A,3.2A
  • 栅源极阈值电压3V @ 250uA
  • 漏源导通电阻250mΩ @ 1A,5V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）2W
  • 类型N沟道和P沟道

其它信息

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