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UF640L-TA3-T相关型号

  • PZTA92G-AA3-R

    集电极电流Ic：500mA 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：300V

  • 2N5401G-B-T92-B

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：625mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：150V

  • TIP127L-TN3-R

    集电极电流Ic：5A 额定功率：38W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SB649AL-C-T60-K

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2SD1857L-Q-T92-B

    集电极电流Ic：2A 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：120V

  • MMBT2222AG-AE3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • TIP41CL-C-TA3-T

    集电极电流Ic：6A 额定功率：65W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SD669AL-D-TN3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：2W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • UF640L-TA3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：123W 类型：N沟道
  • PDF下载：
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）200V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻180mΩ @ 10A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）123W
  • 类型N沟道

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