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12N70KL-MT-TF3-T相关型号

  • MMBT9015G-C-AE3-R

    集电极电流Ic：100mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：45V

  • 2SA1797G-B-AB3-R

    集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SB649AG-C-AB3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V

  • D882SSG-P-AE3-R

    集电极电流Ic：3A 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

  • 2SC3356G-A-AE2-R

    集电极电流Ic：100mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：12V

  • MJE13003L-D-TN3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：1.56W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

  • 2SA1627AL-K-TN3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：1.9W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：600V

  • 2SD882SG-P-AB3-R

    集电极电流Ic：3A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 12N70KL-MT-TF3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：830mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）700V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻830mΩ @ 6A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）34W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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