2SD669AG-C-AB3-R

集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

2SA1627AL-K-T6C-K

集电极电流Ic：1A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：600V

TIP32CL-TA3-T

集电极电流Ic：3A 额定功率：2W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：100V

2SC2712G-G-AE3-R

集电极电流Ic：150mA 额定功率：150mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

HE8050G-D-AE3-R

集电极电流Ic：1.5A 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

2SC4672G-B-AB3-R

集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

2SD1616AG-G-AB3-R

集电极电流Ic：1A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

2SD1816L-R-TN3-R

集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

2N3904G-T92-B

集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

18N50L-TF3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：235W 类型：N沟道

12N10L-TN3-R

19N10L-TM3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道

75N75L-TA3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

7NM65G-TN3-R

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

UT8205AG-P08-R

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏)