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75N75L-TA3-T相关型号

  • HJ44H11L-TA3-T

    集电极电流Ic：8A 额定功率：65W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：80V

  • MJE13005L-B-TF3-T

    集电极电流Ic：4A 额定功率：40W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

  • 2SD1803L-S-TM3-T

    集电极电流Ic：5A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SC5353L-TF3-T

    集电极电流Ic：3A 额定功率：- 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：700V

  • 2SA1012G-R-TN3-R

    集电极电流Ic：5A 额定功率：15W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SD669AG-C-TM3-T

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：2W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2SC5353BL-TN3-R

    集电极电流Ic：3A 额定功率：22W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：750V

  • PZT1816G-S-AA3-R

    集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 75N75L-TA3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）75V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻11mΩ @ 40A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）300W
  • 类型N沟道

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