MCR100G-6-AD-T92-B

栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：400V 类型：单向可控硅

BT169DL-A-T92-B

栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：500mA 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：400V 类型：单向可控硅

MCR100G-8-AC-AA3-R

栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：600V 类型：单向可控硅

X0202G-AC-AA3-R

栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：800mA 通态电流(It (RMS)) (Max)：1.25A 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：600V 类型：-

DTD143EG-AE3-R

集电极电流Ic：500mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce：50V

DTB143EG-AE3-R

集电极电流Ic：500mA 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce：-

DTA115EL-AE3-R

集电极电流Ic：100mA 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce：50V

DTC143EG-AE3-R

集电极电流Ic：100mA 额定功率：400mW 晶体管类型：NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce：50V

AN6652L-T6B-K

BA6208G-S08-R

L8211G-R20-R

L8001G-R20-R

L8211L-R20-R

L8400G-R16-T

UL66CG-06-AB3-R

LA2284L-G09-T