7NM65G-TN3-R

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

75N75L-TA3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

2N65G-TN3-R

19N10L-TM3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道

12N10L-TN3-R

18N50L-TF3-T

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：235W 类型：N沟道

MMBT5551G-B-AE3-R

集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

2N3904G-T92-B

集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

AN6652L-T6B-K

BA6208G-S08-R

L8211G-R20-R

L8001G-R20-R

L8211L-R20-R

L8400G-R16-T

UL66CG-06-AB3-R

LA2284L-G09-T