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4N65KL-TF1-T相关型号

MBR20100CL-TQ2-R

正向压降（Vf）：850mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：2 x 10A
MBR30100CL-TA3-T

正向压降（Vf）：850mV @ 15A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：15A
MBR10200CL-TA3-T

正向压降（Vf）：950mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：5A
MGBR10S45L-TN3-R

正向压降（Vf）：480mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：45V 平均整流电流（Io）：10A
UHE4913G-AE3-R
SK1816G-G03-K
SK1816G-AE3-R
UH276G-G04-K

UTC(友顺)热销型号

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4N65KL-TF1-T

制造商：UTC(友顺)

批号：最新

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

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详细参数

商品目录MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）36W(Tc)
类型N沟道

其它信息

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