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BTC1510F3L-TN3-T

集电极电流Ic:10A 额定功率:1.1W 晶体管类型:NPN - 达林顿 集射极击穿电压Vce:150V

MMBTA14G-AE3-R

集电极电流Ic:500mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:30V (Min)

TIP122L-TA3-T

集电极电流Ic:5A 额定功率:65W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:100V

DTC114EL-T92-K

集电极电流Ic:100mA 额定功率:625mW 晶体管类型:NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce:-

DTC143EG-AE3-R

集电极电流Ic:100mA 额定功率:400mW 晶体管类型:NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50V

DTA115EL-AE3-R

集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50V

DTB143EG-AE3-R

集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce:-

DTD143EG-AE3-R

集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50V

X0202G-AC-AA3-R

栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):800mA 通态电流(It (RMS)) (Max):1.25A 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:600V 类型:-

MCR100G-8-AC-AA3-R

栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅

BT169DL-A-T92-B

栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):500mA 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:单向可控硅

MCR100G-6-AD-T92-B

栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:单向可控硅

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