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2SB1198G-R-AE3-R
集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:80V
2SD313L-E-TA3-T
集电极电流Ic:3A 额定功率:1.75W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:60V
2SC2655L-Y-T9N-B
集电极电流Ic:2A 额定功率:900mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:50V
UTC575V
2N6027G-T92-B
类型:-
MCR100G-8-AD-AB3-R
栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅
MCR100G-8-AD-AE3-R编带
栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅
MCR100G-6-AC-AB3-R
栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:单向可控硅
AN6652L-T6B-K
BA6208G-S08-R
L8211G-R20-R
L8001G-R20-R
L8211L-R20-R
L8400G-R16-T
UL66CG-06-AB3-R
LA2284L-G09-T
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优势价格,UR133AG-33-AB3-B-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
详细参数
其它信息
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