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TL431G-AB3-R相关型号
  • 19N10L-TM3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.6A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道

  • 18N50L-TF3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):235W 类型:N沟道

  • MMBT5551G-B-AE3-R

    集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V

  • 2N3904G-T92-B

    集电极电流Ic:200mA 额定功率:625mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V

  • 2SD1816L-R-TN3-R

    集电极电流Ic:4A 额定功率:1W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:100V

  • 2SD1616AG-G-AB3-R

    集电极电流Ic:1A 额定功率:750mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:60V

  • 2SC1384L-R-T9N-B

    集电极电流Ic:1A 额定功率:1W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:50V

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TL431G-AB3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:温度系数:- 精度:- 输出电压(最小值/固定):2.5V
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录电压基准芯片
  • 输出电压(最小值/固定)2.5V
  • 输出电流100mA
  • 输出电压(最大值)36V
  • 输入电压2.495V
  • 电源电流-
  • 输出类型可编程
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 温度系数-
  • 精度-
  • 参考源类型分流器

其它信息

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