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HE8550G-D-AE3-R
集电极电流Ic:1.5A 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V
2SD1624G-S-AB3-R
集电极电流Ic:3A 额定功率:500mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:50V
2SD882L-P-T60-K
集电极电流Ic:3A 额定功率:1W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:30V
2SD1803G-S-TN3-R
MMBT9014G-C-AE3-R
集电极电流Ic:100mA 额定功率:225mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:45V
2SD965AL-R-T92-K
集电极电流Ic:5A 额定功率:750mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:30V
MMBTA92G-AE3-R
集电极电流Ic:500mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:300V
2SB1386G-Q-AB3-R
集电极电流Ic:5A 额定功率:500mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:20V
AN6652L-T6B-K
BA6208G-S08-R
L8211G-R20-R
L8001G-R20-R
L8211L-R20-R
L8400G-R16-T
UL66CG-06-AB3-R
LA2284L-G09-T
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详细参数
其它信息
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