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MCR100L-8-B-T92-B相关型号

  • MMBT5551G-B-AE3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • 2N3904G-T92-B

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • 2SD1816L-R-TN3-R

    集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SD1616AG-G-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

  • 2SC1384L-R-T9N-B

    集电极电流Ic：1A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SC4672G-B-AB3-R

    集电极电流Ic：2A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • HE8050G-D-AE3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

  • 2SC2712G-G-AE3-R

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：150mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MCR100L-8-B-T92-B

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：栅极触发电流：200uA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：800mA 栅极触发电压：800mV 断态电压Vdrm：600V 类型：单向可控硅
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录可控硅
  • 通态电流(It (RMS)) (Max)800mA
  • 通态电流 (It (AV)) (Max)-
  • 断态电压Vdrm600V
  • 栅极触发电压800mV
  • 类型单向可控硅
  • 栅极触发电流200uA

其它信息

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