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2SB1198G-R-AE3-R相关型号
  • 1N60L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W(Tc) 类型:N沟道

  • 2N60L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道

  • 15N10L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.4W(Tc) 类型:N沟道

  • 4N65KL-TA3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道

  • UT2305G-AE3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道

  • UT9564G-SO8-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道

  • 4N60L-B-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道

  • UT2302G-AE2-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3.1A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 2SB1198G-R-AE3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:80V
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

优势价格,2SB1198G-R-AE3-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 商品目录三极管
  • 额定功率200mW
  • 集电极电流Ic500mA
  • 集射极击穿电压Vce80V
  • 晶体管类型PNP

其它信息

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