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6N80L-TF3-T相关型号

  • 2SB1132G-R-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：32V

  • 2SD1898G-Q-AB3-R

    集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：80V

  • 2SD1616AG-G-T92-K

    集电极电流Ic：1A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

  • 2SA928AL-Y-T9N-B

    集电极电流Ic：2A 额定功率：1W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V

  • MMBT4401G-AE3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • TIP127L-T60-K

    集电极电流Ic：5A 额定功率：36W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：100V

  • MMBTA44G-AE3-R

    集电极电流Ic：300mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

  • 2SB772SG-P-AB3-R

    集电极电流Ic：3A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 6N80L-TF3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）800V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A(Tc)
  • 栅源极阈值电压5V @ 250uA
  • 漏源导通电阻2Ω @ 3A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）51W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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