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4N65L-TA3-T相关型号

  • 2SB776L-P-T60-K

    集电极电流Ic：3A 额定功率：10W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V

  • HE8050G-D-AB3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

  • 2SC1815L-GR-T92-K

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • BC817G-25-AE3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：310mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：45V

  • BC817G-40-AE3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：310mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：45V

  • MMBT1815G-Y-AE3-R

    集电极电流Ic：150mA 额定功率：250mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SD669AG-C-TN3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：2W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • MJE13001L-E-T92-K

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 4N65L-TA3-T

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻2.5Ω @ 2.2A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）106W
  • 类型N沟道

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