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6N70KL-TF1-T相关型号
  • 17P10L-TA3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 8.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:P沟道

  • UT8205AG-P08-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道(共漏)

  • 7NM65G-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

  • 75N75L-TA3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道

  • 19N10L-TM3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.6A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道

  • 18N50L-TF3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):235W 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 6N70KL-TF1-T

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W 类型:N沟道
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)700V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻1.6Ω @ 3A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)42W
  • 类型N沟道

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