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15N10L-TN3-R相关型号

  • 2SD1816L-R-TM3-T

    集电极电流Ic：4A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

  • 2SD882L-P-T9N-B

    集电极电流Ic：3A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

  • 2SB649AG-C-TN3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：2W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：160V

  • HE8550G-D-AE3-R

    集电极电流Ic：1.5A 额定功率：350mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：25V

  • 2SD1624G-S-AB3-R

    集电极电流Ic：3A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V

  • 2SD882L-P-T60-K

    集电极电流Ic：3A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：30V

  • 2SD1803G-S-TN3-R

  • MMBT9014G-C-AE3-R

    集电极电流Ic：100mA 额定功率：225mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：45V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 15N10L-TN3-R

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.7A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37.4W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）100V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）14.7A
  • 栅源极阈值电压3V @ 250uA
  • 漏源导通电阻100mΩ @ 8A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）37.4W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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