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4N60KG-TC相关型号

  • 2N5551G-B-AB3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

  • MJE13001G-C-AB3-F-R

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：550mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

  • MMBT5401G-B-AE3-R

    集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：150V

  • 2N3904L-T92-B

    集电极电流Ic：200mA 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V

  • 2SB834L-Y-TN3-R

  • 2SC2712G-Y-AE3-R

  • MMBT9012G-I-AE3-R

    集电极电流Ic：500mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：40V

  • UP3855G-AA3-R

    集电极电流Ic：4A 额定功率：3W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：140V

UTC(友顺)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 4N60KG-TC

  • 制造商：UTC(友顺)
  • 批号：最新
  • 描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
  • 栅源极阈值电压4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）36W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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