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7N80L-TF2-T相关型号
  • 4N60L-B-TM3-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

  • UF460L-T47-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:270mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W 类型:N沟道

  • 12N65KL-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道

  • 2N65L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道

  • 5N65KL-MT

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道

  • 5N65L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道

  • 3N80L-TF1-T

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 7N80L-TF2-T

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W(Tc) 类型:N沟道
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)800V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
  • 栅源极阈值电压5V @ 250uA
  • 漏源导通电阻1.5Ω @ 2A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)52W(Tc)
  • 类型N沟道

其它信息

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