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  • 2N65G-TN3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道
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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)650V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
  • 栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻9.5Ω @ 1A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)44W
  • 类型N沟道

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