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UT2955G-AA3-R相关型号
  • XL1225G-AB-AE3-R

    栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):500mA 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:-

  • MCR106L-8-T60-k

    栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):2.55A 通态电流(It (RMS)) (Max):4A 栅极触发电压:1V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅

  • MCR100G-6-AD-AE3-R

    栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:单向可控硅

  • XL1225G-AC-AE3-R

    栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:-

  • UT134E-6-T60-K

    栅极触发电流:10mA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):4A 栅极触发电压:1.5V 断态电压Vdrm:600V 类型:双向可控硅

  • MCR100G-6-AD-T92-B

    栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:400V 类型:单向可控硅

图片仅供参考,请参考产品描述

  • UT2955G-AA3-R

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道
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  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)60V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.7A
  • 栅源极阈值电压4V @ 1mA
  • 漏源导通电阻180mΩ @ 1.5A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)1W
  • 类型P沟道

其它信息

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